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單晶硅差壓傳感器

描述：簡要描述：PT124G-3510系列單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，具有超高過壓性能及良好的溫度補償，安裝便捷，具有良好的環(huán)境適應性，可廣泛用于各類工控環(huán)境。

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廠商性質：生產廠家
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更新時間：2025-09-27
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詳細內容/ Product Details

品牌	ZHYQ/朝輝儀器

PT124G-3510系列單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。傳感器具有超高過壓性能及良好的溫度補償，安裝便捷，具有良好的環(huán)境適應性，可廣泛用于各類工控環(huán)境。

單晶硅差壓傳感器優(yōu)勢：

a.采用進口FST單晶硅MEMS芯片進行封裝，產品具有超高精度，zui高可達0.04%FS；

b.具有優(yōu)異的過壓性能；

c.可用于負壓力測量；

d.智能靜壓補償和溫度補償，環(huán)境適應性強；

應用：石油、化工、電力、造紙、鋼鐵、煤氣等

技術參數：

量程	3KPa、6KPa、10KPa、40KPa、150KPa、250KPa、3MPa
額定工作壓力	2.5MPa、16MP、25MPa、40MPa
過載	150%F.S
供電電壓	5V
信號輸出	40-200mV
工作溫度	-50~85℃
介質溫度	-50-125℃
非線性	≤0.1%F.S
長期穩(wěn)定性	≤0.05%F.S/年
溫度影響	≤0.3%F.S/年
靜壓特性	≤±0.1%F.S/10MPa
長期漂移	≤0.05%F.S/年
本體材質	316
膜片材質	316L、哈氏合金、鉭、鍍金等

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